MG200HF12MRC2
производитель:
Технология Янджи
Описание:
Транзисторы - БТИЗ - Модули C2
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
300 А
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Подвеска на шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2В при 15В, 150А
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
1200 В
Пакет изделий поставщика:
С2
Мфр:
Технология Янджи
Операционная температура:
-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Ток - предел коллектора (макс.):
1 мА
Тип IGBT:
-
Мощность - Макс:
1150 Вт
Ввод:
Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce:
12,5 нФ при 25 В
Конфигурация:
Один переключатель
Термистор NTC:
- Нет.
Введение
Переключатель 1200 v модуля IGBT одиночный держатель 1150 300 шасси a w C2
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
МГ50П12Е2А
Transistors - IGBTs - Modules E2
МГ25П12Е1А
Transistors - IGBTs - Modules E1
MG75U12MRGJ
Transistors - IGBTs - Modules GJ
MG100HF12LEC1
Transistors - IGBTs - Modules C1
MG150HF12LEC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
MG150HF12MRC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
MG100HF12TLC1
Transistors - IGBTs - Modules C1
МГ25П12П3
Transistors - IGBTs - Modules P3
MG100UZ12MRGJ
Transistors - IGBTs - Modules GJ
MG150HF12TLC1
Transistors - IGBTs - Modules C1
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
МГ50П12Е2А |
Transistors - IGBTs - Modules E2
|
|
|
|
МГ25П12Е1А |
Transistors - IGBTs - Modules E1
|
|
|
|
MG75U12MRGJ |
Transistors - IGBTs - Modules GJ
|
|
|
|
MG100HF12LEC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
|
|
|
|
MG150HF12LEC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
|
|
MG150HF12MRC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
|
|
MG100HF12TLC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
|
|
|
|
МГ25П12П3 |
Transistors - IGBTs - Modules P3
|
|
|
|
MG100UZ12MRGJ |
Transistors - IGBTs - Modules GJ
|
|
|
|
MG150HF12TLC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: