МГ25П12Е1А
производитель:
Технология Янджи
Описание:
Транзисторы - БТИЗ - Модули E1
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
25 А
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Подвеска на шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2,25 В при 15 В, 15 А
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
1200 В
Пакет изделий поставщика:
-
Мфр:
Технология Янджи
Операционная температура:
-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Ток - предел коллектора (макс.):
1 мА
Тип IGBT:
-
Мощность - Макс:
155 Вт
Ввод:
трехфазный выпрямитель по мостиковой схеме
Вводная емкость (Cies) @ Vce:
1,35 нФ при 25 В
Конфигурация:
Трехфазный инвертор с тормозом
Термистор NTC:
Да, да.
Введение
Инвертор модуля IGBT трехфазный с тормозом 1200 v держатель 25 шасси a 155 w
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
МГ50П12Е2А
Transistors - IGBTs - Modules E2
MG200HF12MRC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
MG75U12MRGJ
Transistors - IGBTs - Modules GJ
MG100HF12LEC1
Transistors - IGBTs - Modules C1
MG150HF12LEC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
MG150HF12MRC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
MG100HF12TLC1
Transistors - IGBTs - Modules C1
МГ25П12П3
Transistors - IGBTs - Modules P3
MG100UZ12MRGJ
Transistors - IGBTs - Modules GJ
MG150HF12TLC1
Transistors - IGBTs - Modules C1
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
МГ50П12Е2А |
Transistors - IGBTs - Modules E2
|
|
|
|
MG200HF12MRC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
|
|
MG75U12MRGJ |
Transistors - IGBTs - Modules GJ
|
|
|
|
MG100HF12LEC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
|
|
|
|
MG150HF12LEC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
|
|
MG150HF12MRC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
|
|
MG100HF12TLC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
|
|
|
|
МГ25П12П3 |
Transistors - IGBTs - Modules P3
|
|
|
|
MG100UZ12MRGJ |
Transistors - IGBTs - Modules GJ
|
|
|
|
MG150HF12TLC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: