VS-GB70LA60UF
производитель:
Vishay General Semiconductor - Диодный отдел
Описание:
MOD 600V 111A 447W SOT227 IGBT
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
111 a
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Подвеска на шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
SOT-227-4, miniBLOC
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.44V @ 15V, 70A
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
600 В
Пакет изделий поставщика:
SOT-227
Мфр:
Vishay General Semiconductor - Диодный отдел
Ток - предел коллектора (макс.):
100 μA
Тип IGBT:
ДНЯО
Мощность - Макс:
447 Вт
Ввод:
Стандартный
Операционная температура:
-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Конфигурация:
Одинокий
Термистор NTC:
- Нет.
Номер базовой продукции:
GB70
Введение
Модуль NPT IGBT определяет 600 v держатель SOT-227 111 шасси a 447 w
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: