ДДБ6У100Н16РРБОСА1
производитель:
Инфинеон Технологии
Описание:
MOD 1200V 50A 350W IGBT
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
50 А
Статус продукта:
Выпущен в Digi-Key
Тип установки:
Подвеска на шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
3,2 В при 20 В, 50 А
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
1200 В
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Инфинеон Технологии
Операционная температура:
-40°C ~ 150°C
Ток - предел коллектора (макс.):
1 мА
Тип IGBT:
-
Мощность - Макс:
350 w
Ввод:
Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce:
3,3 нФ при 25 В
Конфигурация:
Одиночный измельчитель
Термистор NTC:
- Нет.
Номер базовой продукции:
ДДБ6У100
Введение
Тяпка 1200 v модуля IGBT одиночная модуль держателя 50 шасси a 350 w
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: