ФФ100Р12КС4ХОСА1
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
150 А
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Подвеска на шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
В
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
3,7 В при 15 В, 100 А
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
1200 В
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Инфинеон Технологии
Операционная температура:
-40°C ~ 125°C
Ток - предел коллектора (макс.):
5 мам
Тип IGBT:
-
Мощность - Макс:
780 Вт
Ввод:
Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce:
650 nF @ 25 v
Конфигурация:
2 Независимая
Термистор NTC:
- Нет.
Номер базовой продукции:
FF100R12
Введение
Независимый 1200 модуля 2 IGBT v модуль держателя 150 шасси a 780 w
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: