АПТГФ25Х120Т1Г
производитель:
Технология микрочипов
Описание:
БТИЗ МОДУЛЬ 1200В 40А 208Вт SP1
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
40 a
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Подвеска на шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
SP1
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
3.7В @ 15В, 25А
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
1200 В
Пакет изделий поставщика:
SP1
Мфр:
Технология микрочипов
Операционная температура:
-
Ток - предел коллектора (макс.):
250 μA
Тип IGBT:
ДНЯО
Мощность - Макс:
208 w
Ввод:
Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce:
1,65 нФ при 25 В
Конфигурация:
Полный инвертор моста
Термистор NTC:
Да, да.
Введение
Инвертор 1200 v моста NPT модуля IGBT полный держатель SP1 40 шасси a 208 w
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: