APT35GP120JDQ2
производитель:
Технология микрочипов
Описание:
MOD 1200V 64A 284W ISOTOP IGBT
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
64 А
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Подвеска на шасси
Пакет:
Трубка
Серия:
MOS 7® СИЛЫ
Пакет / чемодан:
ISOTOP
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
3.9V @ 15V, 35A
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
1200 В
Пакет изделий поставщика:
ISOTOP®
Мфр:
Технология микрочипов
Операционная температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток - предел коллектора (макс.):
µA 350
Тип IGBT:
PT
Мощность - Макс:
284 Вт
Ввод:
Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce:
3,24 нФ при 25 В
Конфигурация:
Одинокий
Термистор NTC:
- Нет.
Номер базовой продукции:
APT35GP120
Введение
Модуль PT IGBT определяет 1200 v держатель ISOTOP® 64 шасси a 284 w
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: