АПТГТ75А60Т1Г
производитель:
Технология микрочипов
Описание:
МОДУЛЬ 600V 100A 250W SP1 IGBT
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
100 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Подвеска на шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
SP1
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1,9 В при 15 В, 75 А
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
600 В
Пакет изделий поставщика:
SP1
Мфр:
Технология микрочипов
Операционная температура:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Ток - предел коллектора (макс.):
250 μA
Тип IGBT:
Остановка в окопах
Мощность - Макс:
250 Вт
Ввод:
Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce:
4,62 нФ при 25 В
Конфигурация:
Половина моста
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
АПТГТ75
Введение
Мост 600 v половины диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT держатель SP1 100 шасси a 250 w
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: