ДФ150Р12РТ4ХОСА1
производитель:
Инфинеон Технологии
Описание:
БТИЗ МОД 1200В 150А 790Вт
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
150 А
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Подвеска на шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2,15 В при 15 В, 150 А
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
1200 В
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Инфинеон Технологии
Операционная температура:
-40°C ~ 150°C
Ток - предел коллектора (макс.):
1 мА
Тип IGBT:
Остановка в окопах
Мощность - Макс:
790 w
Ввод:
Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce:
9,3 нФ при 25 В
Конфигурация:
Одиночный измельчитель
Термистор NTC:
- Нет.
Номер базовой продукции:
DF150R12
Введение
Тяпка 1200 v диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT одиночная модуль держателя 150 шасси a 790 w
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: