АПТ100ГТ120ДЖР
производитель:
Технология микрочипов
Описание:
MOD 1200V 123A 570W ISOTOP IGBT
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
123 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Подвеска на шасси
Пакет:
Трубка
Серия:
Thunderbolt IGBT®
Пакет / чемодан:
SOT-227-4, miniBLOC
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
3,7 В при 15 В, 100 А
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
1200 В
Пакет изделий поставщика:
ISOTOP®
Мфр:
Технология микрочипов
Операционная температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток - предел коллектора (макс.):
100 μA
Тип IGBT:
ДНЯО
Мощность - Макс:
570 w
Ввод:
Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce:
6,7 нФ при 25 В
Конфигурация:
Одинокий
Термистор NTC:
- Нет.
Номер базовой продукции:
APT100
Введение
Модуль NPT IGBT определяет 1200 v держатель ISOTOP® 123 шасси a 570 w
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: